扬州大学已成功研发出高性能LED芯片

　　近日,扬州大学已成功研发出高性能LED芯片,扬州大学物理学院承担的江苏省科技攻关项目大功率高亮度LED芯片取得重要进展,首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试.这款由我国自主研发的新光源芯片,将用于替代国外同类产品.

　　据了解,LED是目前世界各国加紧开发的节能光源产品,用于替代传统的电力光源,芯片则是LED的“大脑”.但目前国产LED芯片在寿命、亮度、性价比等方面均弱于进口芯片,从而造成最终产品成本高,难以在一般消费者中普及,且高端产品的芯片需依赖进口.

　　据课题负责人扬大物理学院曾祥华教授介绍,由该院光电研究中心 10名科研人员组成的研究团队,与扬州华夏光电联合开展校企合作,对国产芯片的结构进行重新设计,着力解决发热量大、衰减快等稳定性问题,以提高其使用寿命.曾祥华表示,目前首批新型芯片样品已经试制成功,并已经获得三项国家专利,经过1000小时连续带电测试后,研究人员还将对细节进行改进,新芯片的稳定使用寿命约能提高到5万小时以上.据悉,新芯片因由我国自主研发,这将大大缩减LED制造成本,最终可用于替代进口芯片.

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