PMCS1123B2QDVGR具有±1.3kV 增强型隔离工作电压、过流检测和环境磁场抑制功能的精密 250kHz 霍尔效应电流传感器

产品型号：PMCS1123B2QDVGR

产品品牌：TI/德州仪器

产品封装：SOP10

产品功能：增强型隔离工作电压的霍尔效应电流传感器

PMCS1123B2QDVGR特性

●高持续电流能力：80ARMS

●可靠的增强型隔离

可承受的隔离电压：5kVRMS

增强型工作电压：1.3kVDC

●高精度

灵敏度误差：±0.1%

灵敏度热漂移：±20ppm/°C

灵敏度寿命漂移：±0.2%

失调电压误差：±0.2mV

偏移热漂移：±2μV/°C

偏移寿命漂移：±0.2mV

非线性：±0.1%

●对外部磁场具有高抗扰度

●精密零电流基准输出

●快速响应

信号带宽：250kHz

传播延迟：110ns

响应时间：1μs

过流检测响应：100ns

●工作电源电压范围：3V 至 5.5V

●双向和单向电流感应

●多个灵敏度选项：

范围为 25mV/A 至 150mV/A

●安全相关认证（计划）

UL 1577 组件认证计划

IEC/CB 62368-1

PMCS1123B2QDVGR说明

PMCS1123B2QDVGR是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内的最大灵敏度误差小于 1.4%，或在一次性室温校准（包括寿命和温度漂移）的情况下的最大灵敏度误差小于 1%。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8.1mm 的爬电距离和间隙，可提供高达 1.3kVDC 的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

封装图
 

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